STP40NF20

STP40NF20

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 200V 40A 45mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 STP40NF20, N-channel MOSFET Transistor, 40A 200V, 3-Pin TO-220 MOSFET Low charge STripFET MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO-220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 40 A, Vds=200 V, 3针 TO-220封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1000
单位包装50
其他名称497-5806-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量50
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间22 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
最大功率160W
噪声系数Not Required dB
额定功率160 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)22 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)44 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟74 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压200 V
阈值电压:3V
最大额定电流:40A
导通电阻 RDS(On):38mohm
触点电压(最大):200V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs45@10V mOhm
最大功耗160 W
传播延迟(最大)44 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic200 V
漏电流(最大)40 A
每端口功率(瓦)160W
导通电阻(最大)0.045 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)200V
电流传输比(最小)30 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs75nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)40 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)40A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2500pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C40A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
重量0.0002
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220
材料表面处理:-
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STP40NF20
技术STripFET
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
标准交期10 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C
热阻 @ GPM0.78K/W