STP40N60M2

STP40N60M2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 34A TO220 MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2 N-CH 600V 34A 88mOhm TO220-3

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量50
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间11 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷57 nC
最大功率250W
上升时间(典型)13.5 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟96 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
二极管配置NO
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs88 mOhm @ 17A, 10V
平均正向功率250 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
逻辑电压 - VIL, VIHNO
每端口功率(瓦)250 W
导通电阻(最大)88 mOhms
空闲电流,典型值 @ 25°C34 A
供电电压 (Vcc/Vdd)600 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs57nC @ 10V
漏源电压(Vdss)600V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2500pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C34A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式TO-220-3
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
系列*
技术Si
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C
热阻 @ GPM0.5 K/W