STP3NK60Z

Name: STP3NK60Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 600V 3A 3600mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	50
单位包装	50
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	14 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	45W
额定功率	45 W
上升时间（典型）	14 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	19 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 50µA
击穿电压	600 V
阈值电压	:3.75V
最大额定电流	:2.4A
导通电阻 RDS(On)	:3.6ohm
触点电压（最大）	:600V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	3600@10V mOhm
最大功耗	:45W
传播延迟（最大）	14 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	600 V
每端口功率（瓦）	45W
导通电阻（最大）	:3.6ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)	600V
电流传输比（最小）	1.8 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	11.8nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:9.6A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	9 ns
漏源电压（Vdss）	600V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	2.4 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	3A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	311pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	2.4A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6(Max)
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
引脚间距	:2.54mm
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB