STP3NK100Z
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220 STP3NK100Z, N-channel MOSFET Transistor, 2.5A 1000V, 3-Pin TO-220 MOSFET 1000V 5.4Ohm 2.5A Zener SuperMESH Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube MOSFET, N CH, 1000V, 2.5A, TO-220
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | TO-220 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 32 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 90W |
| 额定功率 | 90 W |
| 下降时间（典型） | 32 ns |
| 上升时间（典型） | 7.5 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 39 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 击穿电压 | 1000 V |
| 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :2.5A |
| 导通电阻 RDS(On) | :5.4ohm |
| 触点电压（最大） | :1kV |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 6000@10V mOhm |
| 最大功耗 | 90 W |
| 传播延迟（最大） | 7.5 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V |
| 导通电阻（最大） | 6 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 601pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |