STP36NF06

STP36NF06

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 60V 36A 40mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 STP36NF06, N-channel MOSFET Transistor 30A 60V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220 MOSFET, N CH, 60V, 30A, TO 220 STP36NF06 MOSFET N, 60 V 30 A 70 W TO-220, STP36NF06, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装 N-CH 60V 30A 40mOhm TO220-3

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量50
单位包装50
其他名称497-3186-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量50
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间9 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
最大功率70W
噪声系数Not Required dB
额定功率70 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)9 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)40 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟27 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:4V
导通电阻 RDS(On):40mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs40@10V mOhm
最大功耗70 W
传播延迟(最大)40 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)30 A
每端口功率(瓦)70W
导通电阻(最大)0.04 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)60V
电流传输比(最小)12 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs31nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)30 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)36A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds690pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C30A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.15mm
长度10.4mm
重量0.050717 oz
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220
材料表面处理:-
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STP36NF06
技术StripFET
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
标准交期10 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C
热阻 @ GPM2.14K/W