STP30NF20
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 200V 30A 8mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-220 STP30NF20, N-channel MOSFET Transistor, 30A 200V, 3-Pin TO-220 MOSFET Low charge STripFET Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=200 V, 3针 TO-220封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-5825-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | TO-220 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 125W |
| 额定功率 | 125 W |
| 下降时间（典型） | 8.8 ns |
| 上升时间（典型） | 15.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 38 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 75@10V mOhm |
| 最大功耗 | 125 W |
| 传播延迟（最大） | 15.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 每端口功率（瓦） | 125W |
| 导通电阻（最大） | 0.075 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 200V |
| 电流传输比（最小） | 20 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 38nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1597pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 匹配码 | STP30NF20 |
| 技术 | STripFET |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 10 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | 1K/W |