STP30NF10

Name: STP30NF10
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 100V 30A 45mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 STP30NF10, N-channel MOSFET Transistor 35A 100V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube MOSFET, N, TO-220 STP30NF10 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 115W; TO220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	50
单位包装	50
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	10 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	115W
额定功率	115 W
下降时间（典型）	10 ns
上升时间（典型）	40 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	45 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
钳位电压	:275mJ
击穿电压	100 V
阈值电压	:3V
最大额定电流	:35A
导通电阻 RDS(On)	:45mohm
触点电压（最大）	:100V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	45@10V mOhm
最大功耗	115 W
传播延迟（最大）	40 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	100 V
每端口功率（瓦）	115W
导通电阻（最大）	0.045 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	100V
电容比测试条件	:1180pF
反向恢复时间（trr）	:110ns
电流传输比（最小）	10 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	55nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:140A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	15 ns
漏源电压（Vdss）	100V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	35 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	35A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1180pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	35A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
引脚间距	:2.54mm
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
SPG	50
极性	unipolar
匹配码	STP30NF10
原理图	see
技术	STripFET
通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
单元数量	1
标准交期	10 weeks
使用的IC/零件	:STP30NF10
印刷电路板数量	3