STP2NK90Z

Name: STP2NK90Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 900V 2A 7000mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220 STP2NK90Z, N-channel MOSFET Transistor, 2.1A 900V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 2.1 A, Vds=900 V, 3针 TO-220封装

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	2000
单位包装	50
其他名称	497-4378-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
欧盟RoHS	Compliant
汽车级	NO
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	40 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
栅极电荷	19.5 nC
最大功率	70W
额定功率	70 W
下降时间（典型）	40 ns
上升时间（典型）	11 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	43 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 50µA
击穿电压	900 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	6500@10V mOhm
最大功耗	70 W
传播延迟（最大）	11 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	900 V
每端口功率（瓦）	70W
导通电阻（最大）	6.5 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	900V
电流传输比（最小）	2.3 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	27nC
开关时间（Ton, Toff）（最大）	21 ns
漏源电压（Vdss）	900V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	2.1 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	2.1A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	485pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	2.1A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB