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# 元件详情：STP2NK100Z

- **型号**: STP2NK100Z
- **oneic 编号**: 390-STP2NK100Z
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 STP2NK100Z, N-channel MOSFET Transistor, 1.85A 1000V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 1000V, 1.85A, TO 220 STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 1.85 A, Vds=1000 V, 3针 TO-220封装
- **分类**: 集成电路 / 逻辑IC / 标准逻辑IC

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装规格 | 1,000 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | TO-220 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 16 nC |
| 最大功率 | 70W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 70 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 41.5 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 击穿电压 | 1000 V |
| 阈值电压 | :3.75V |
| 导通电阻 RDS(On) | :6.25ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8500@10V mOhm |
| 最大功耗 | 70 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V |
| 漏电流（最大） | 2 A |
| 导通电阻（最大） | 8.5 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7.2 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 499pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.85A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.19 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013](http://media.digikey.com/pdf/PCNs/STMicroelectronics/IPD-13-7945_Assembly_Site.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00159991.pdf)
- [STx2NK100Z](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00159991.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00159991.pdf)

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