STP2NK100Z

Name: STP2NK100Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 STP2NK100Z, N-channel MOSFET Transistor, 1.85A 1000V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 1000V, 1.85A, TO 220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 1.85 A, Vds=1000 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
标准包装规格	1,000
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs	±30 V
FET特性	Standard
栅极电荷	16 nC
最大功率	70W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	70 W
额定输出功率	Not Required dB
最大频率	Not Required MHz
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	41.5 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 50µA
击穿电压	1000 V
阈值电压	:3.75V
导通电阻 RDS(On)	:6.25ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	8500@10V mOhm
最大功耗	70 W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	1000 V
漏电流（最大）	2 A
导通电阻（最大）	8.5 Ω
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	16nC @ 10V
开关时间（Ton, Toff）（最大）	7.2 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	1000V (1kV)
峰值脉冲电流（10/1000µs）	2 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	2 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	499pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	1.85A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.19
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB