STP20NF20

Name: STP20NF20
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 STP20NF20, N-channel MOSFET Transistor, 18A 200V, 3-Pin TO-220 MOSFET Low charge STripFET MOSFET, N, TO-220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 18 A, Vds=200 V, 3针 TO-220封装 N-CH 200V 18A 125mOhm TO220

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
其他名称	497-5812-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220F

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	10 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Standard
最大功率	90W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	25 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	10 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	30 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	40 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
击穿电压	200 V
阈值电压	:3V
最大额定电流	:18A
导通电阻 RDS(On)	:125mohm
触点电压（最大）	:200V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	125@10V mOhm
最大功耗	110 W
传播延迟（最大）	30 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	200 V
漏电流（最大）	18 A
导通电阻（最大）	0.125 Ω
电流传输比（最小）	13 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	39nC @ 10V
峰值脉冲电流（8/20µs）	:72A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	15 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	200V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	18 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	18 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	940pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	18A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.00204
包装方式	Tube
引脚样式	Through Hole
端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220FP
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
包装数量	TO-220FP
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
供应商器件封装	TO-220AB