规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-4375-5 |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
| 抗辐射加固 | No |
| 安全类别 | Power MOSFET |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±18 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 60W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 60 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 6 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 输出功能 | Enhancement |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 20 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :3V |
| 最大额定电流 | :20A |
| 导通电阻 RDS(On) | :60mohm |
| 触点电压（最大） | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 70@10V mOhm |
| 最大功耗 | 60 W |
| 传播延迟（最大） | 30 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 漏电流（最大） | 20 A |
| 导通电阻（最大） | 0.07 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 20 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 400pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 导体类型 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 其他规格 | N |
| 印刷电路板数量 | 3 |
| 设备部件号 | TO-220 |
| 逻辑单元/单元数量 | 1 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 175 °C |