STP20N20

STP20N20

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-4373-5
标准包装数量Rail / Tube
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSSupplier Unconfirmed

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率90W
下降时间(典型)10 ns
首抽头延迟40 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压200 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs125@10V mOhm
最大功耗90000
传播延迟(最大)30 ns
导通电阻(最大)125@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs39nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)15 ns
漏源电压(Vdss)200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)18 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds940pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C18A

机械参数

参数值
宽度4.6(Max)
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
封装形式3TO-220
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-50 to 150 °C