STP200NF04
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET 40V 0.00 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 STP200NF04, N-channel MOSFET Transistor, 120A 40V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp MOSFET, N CH, 40V, 120A, TO-220 STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET , 120 A, Vds=40 V, 3针 TO-220封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-3524-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85423300 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 120 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 310W |
| 额定功率 | 310 W |
| 下降时间（典型） | 120 ns |
| 上升时间（典型） | 320 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 140 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V |
| 阈值电压 | :4V |
| 最大额定电流 | :120A |
| 导通电阻 RDS(On) | :3.3mohm |
| 触点电压（最大） | :40V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.7@10V mOhm |
| 最大功耗 | 310 W |
| 传播延迟（最大） | 320 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 导通电阻（最大） | 3.7 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 210nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 120 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 120 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5100pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.050717 oz |
| 包装方式 | Tube |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 175 °C |