STP16NK60Z

Name: STP16NK60Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 600V 14A 420mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 STP16NK60Z, N-channel MOSFET Transistor, 14A 600V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	1000
单位包装	50
其他名称	497-4372-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	15 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
栅极电荷	86 nC
最大功率	190W
额定功率	190 W
下降时间（典型）	15 ns
上升时间（典型）	25 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	70 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 50µA
击穿电压	600 V
阈值电压	:3.75V
最大额定电流	:14A
导通电阻 RDS(On)	:420mohm
触点电压（最大）	:600V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	420@10V mOhm
最大功耗	190 W
传播延迟（最大）	25 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	600 V
每端口功率（瓦）	190W
导通电阻（最大）	0.42 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	600V
电流传输比（最小）	12 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	86nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:56A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	30 ns
漏源电压（Vdss）	600V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	14 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	14A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	2650pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	14A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.002
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB