规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | Power MOSFET |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 23.4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 42 nC |
| 上升时间（典型） | 91 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 24.5 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1 V to 2.5 V |
| 平均正向功率 | 136 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 3.2 mOhms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 19 ns |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 4.6 mm |
| 长度 | 15.75 mm |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | STripFET H6 |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 175 C |