STP15N60M2-EP

STP15N60M2-EP

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷17 nC
上升时间(典型)10 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟40 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2 V
平均正向功率110 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)378 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C11 A

机械参数

参数值
安装样式Through Hole
封装形式TO-220-3

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C