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# 元件详情：STP150N10F7

- **型号**: STP150N10F7
- **oneic 编号**: 390-STP150N10F7
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 33 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 117 nC |
| 最大功率 | 250W |
| 上升时间（典型） | 57 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 72 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
| 平均正向功率 | 250 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| 导通电阻（最大） | 4.2 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 117nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8115pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 110A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 175 C |

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