规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 33 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 117 nC |
| 最大功率 | 250W |
| 上升时间（典型） | 57 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 72 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 55A, 10V |
| 平均正向功率 | 250 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| 导通电阻（最大） | 4.2 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 117nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8115pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 110A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 175 C |