STP14NK50Z

Name: STP14NK50Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 500V 14A TO-220 STP14NK50Z, N-channel MOSFET Transistor, 14A 500V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 14 A, Vds=500 V, 3针 TO-220封装 N-CH 500V 14A 380mOhm TO220-3

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
其他名称	497-4526-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	50
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
欧盟RoHS	Compliant
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	12 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
FET特性	Standard
栅极电荷	69 nC
最大功率	150W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	150 W
额定输出功率	Not Required dB
开通延迟时间	24 ns
最大频率	Not Required MHz
输出功能	增强
上升时间（典型）	16 ns
晶体管类型	N-Channel
关断延迟时间	54 ns
首抽头延迟	54 ns
供电电压	500 V
通道数量	1 Channel
元件数量	1
输入电阻	380 mΩ
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 100µA
二极管配置	NO
击穿电压	500 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
平均正向功率	150 W
最大功耗	150 W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	500 V
漏电流（最大）	14 A
逻辑电压 - VIL, VIH	NO
每端口功率（瓦）	150 W
导通电阻（最大）	0.38 Ω
空闲电流，典型值 @ 25°C	14 A
供电电压 (Vcc/Vdd)	500 V
电流传输比（最小）	12 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	92nC @ 10V
开关时间（Ton, Toff）（最大）	24 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	500V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	14 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	14 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	2000pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	14A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	3
封装形式	TO-220-3
冷却的封装	TO-220
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
类型	Power MOSFET
系列	N-channel MDmesh
功能	Y
极性	N
技术	Si
通道类型	N
制造商全称	STMicroelectronics
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
印刷电路板数量	3