STP140NF55

Name: STP140NF55
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 55V 80A 8mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 STP140NF55, N-channel MOSFET Transistor, 80A 55V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp MOSFET, N, TO-220 STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 80 A, Vds=55 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	1000
单位包装	50
其他名称	497-4370-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	45 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	300W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	300 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	45 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	150 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	125 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
钳位电压	:1300mJ
击穿电压	55 V
阈值电压	:3V
最大额定电流	:80A
导通电阻 RDS(On)	:8mohm
触点电压（最大）	:55V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	8@10V mOhm
最大功耗	300 W
传播延迟（最大）	150 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	55 V
漏电流（最大）	80 A
每端口功率（瓦）	300W
导通电阻（最大）	0.008 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	55V
电容比测试条件	:5300pF
电流传输比（最小）	100 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	142nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:320A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	30 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	55V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	80 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	80A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	5300pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	80A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
类型	Power MOSFET
极性	N
匹配码	STP140NF55
技术	StripFET
通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
标准交期	10 weeks
印刷电路板数量	3