STP10NK60Z

STP10NK60Z

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 STP10NK60Z, N-channel MOSFET Transistor 10A 600V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220 STP10NK60Z Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 115W; TO220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装 N-CH 600V 10A 750mOhm TO220-3

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-4117-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量1000
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间30 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard
栅极电荷50 nC
最大功率115W
噪声系数Not Required dB
额定功率115 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)30 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)20 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟55 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 250µA
钳位电压:300mJ
击穿电压600 V
阈值电压:3.75V
最大额定电流:10A
导通电阻 RDS(On):750mohm
触点电压(最大):600V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs750@10V mOhm
最大功耗115 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
漏电流(最大)10 A
导通电阻(最大)0.75 Ω
电容比测试条件:1370pF
反向恢复时间(trr):570ns
电流传输比(最小)7.8 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs70nC @ 10V
峰值脉冲电流(8/20µs):36A
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)600V
峰值脉冲电流(10/1000µs)10 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)10 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1370pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C10A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.15mm
长度10.4mm
重量0.050717 oz
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
引脚间距:2.54mm
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220
材料表面处理:-
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.15mm
插针孔直径:a
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
SPG150
类型Power MOSFET
极性N
原理图see
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
单元数量1
使用的IC/零件:STP10NK60Z
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
测试温度:25°C
工作温度-55 to 150 °C