STP10N62K3
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 STP10N62K3, N-channel MOSFET Transistor, 8.4A 620V, 3-Pin TO-220 MOSFET, N CH, 620V, 8.4A, TO220 STMicroelectronics MDmesh K3 MDmesh K3, SuperMESH3 SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 8.4 A, Vds=620 V, 3针
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-9099-5 |
| 标准包装数量 | Bulk |
| 标准封装名称 | TO-220 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 125W |
| 下降时间（典型） | 31 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 41 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 620 V |
| 阈值电压 | :3.75V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.68ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 750@10V mOhm |
| 最大功耗 | 125 W |
| 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 导通电阻（最大） | 0.75 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 42nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 14.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 620V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1250pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8.4A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.19 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |