STN851

STN851

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R NPN TRANSISTOR 60V 5A SOT223 TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-223 STN851, NPN Bipolar Transistor, 5A 60V HFE:30V 130MHz Power, 4-Pin SOT-223 Transistors Bipolar - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw TRANSISTOR, NPN, SOT-223 STN851 STMicroelectronics , NPN 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:30, 130 MHz, 3 + Tab针 SOT-223封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装1000
其他名称497-3179-2
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412900
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率130 MHz
最大功率1.6W
额定功率1.6 W
最大频率130(Typ) MHz
晶体管类型NPN
供电电压60V
元件数量1
Vce饱和电压(最大)320 mV
最小输入电压60 V
过渡频率130MHz
增益带宽积130 MHz
电源电压(最大)7 V
最大功耗1600 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic150 V
每端口功率(瓦)1.6W
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 200mA, 5A
集电极电流(Ic)(最大)5A
集电极截止电流(最大)5 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce150@10mA@1V|150@2A@1V|90@5A@1V|30@10A@1V
集电极-发射极击穿电压(最大)7 V

机械参数

参数值
宽度3.5mm
高度1.8mm
长度6.5mm
重量0.002
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式4SOT-223
冷却的封装SOT-223
材料表面处理:-
尺寸/外形1.8 x 6.5 x 3.5mm
位数4
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
类型NPN
极性NPN
匹配码STN851
SMD标记:N851
卡标准Bipolar Power
配置Single
标准交期12 weeks

环境参数

参数值
工作温度-65 to 150 °C