STN4NF03L

STN4NF03L

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R N-CHANNEL-FET 6,5A 30V SOT223 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 STN4NF03L, N-channel MOSFET Transistor 6.5A 30V, 4-Pin SOT-223 MOSFET N-Ch 30 Volt 6.5 Amp MOSFET, N, SOT-223 STN4NF03L STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 6.5 A, Vds=30 V, 3+Tab针 SOT-223封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量4000
单位包装4000
其他名称497-4525-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量4000
标准封装名称SOT-223

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间22 ns
最大栅源电压 Vgs±16 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率3.3W
噪声系数Not Required dB
额定功率3.3 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)22 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)100 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟35 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:1V
最大额定电流:6.5A
导通电阻 RDS(On):50mohm
触点电压(最大):30V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs50@10V mOhm
最大功耗3.3 W
传播延迟(最大)100 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
漏电流(最大)6.5 A
每端口功率(瓦)2.5W
导通电阻(最大)0.05 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)30V
电流传输比(最小)6 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs9nC @ 10V
峰值脉冲电流(8/20µs):26A
开关时间(Ton, Toff)(最大)11 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)6.5 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 16 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)6.5A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds330pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6.5A (Tc)

机械参数

参数值
宽度3.5mm
高度1.8mm
长度6.5mm
重量0.004395 oz
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:4
封装形式4SOT-223
冷却的封装SOT-223
材料表面处理:-
包装数量SOT-223
尺寸/外形6.5 x 3.5 x 1.8mm
位数4
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N-CHANNEL
匹配码STN4NF03L
SMD标记:N4NF03
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Dual Drain, Single
标准交期13 weeks

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C