规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-13537-2 |
| 标准包装数量 | 4,000 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 3.7 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 6.4 nC |
| 最大功率 | 2.6W |
| 额定功率 | 2.6 W |
| 开通延迟时间 | 6.4 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 5.3 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 14 ns |
| 供电电压 | 1.1V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 160 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 二极管配置 | NO |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 平均正向功率 | 2.6 W |
| 最大功耗 | 2.6 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 每端口功率（瓦） | 2.6 W |
| 导通电阻（最大） | 160 mOhms |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | -3 A |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | -60 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 344pF @ 48V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3A (Tpcb) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 3.7mm |
| 高度 | 1.8mm |
| 长度 | 6.7mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3+Tab |
| 封装形式 | TO-261-4, TO-261AA |
| 冷却的封装 | SOT-223 |
| 包装数量 | SOT-223 |
| 尺寸/外形 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm |
| 位数 | 3 +Tab |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | P-channel STripFET |
| 功能 | Y |
| 极性 | P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | P-CH |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55C to 175C |