STN3NF06L

STN3NF06L

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R N-CHANNEL-MOS-FET 3A 60V SOT223 MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 STN3NF06L, N-channel MOSFET Transistor 4A 60V, 4-Pin SOT-223 MOSFET, N, SOT-223 STN3NF06L Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 4 A, Vds=60 V, 3+Tab针 SOT-223封装 MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量4000
单位包装4000
其他名称497-3177-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOT-223

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±16 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率3.3W
噪声系数Not Required dB
额定功率3.3 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)10 ns
最大频率Not Required MHz
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟20 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.8V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:2.8V
最大额定电流:4A
导通电阻 RDS(On):100mohm
触点电压(最大):60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs100@10V mOhm
最大功耗3.3 W
传播延迟(最大)25 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)4 A
每端口功率(瓦)2.5W
导通电阻(最大)0.1 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)60V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs9nC @ 5V
峰值脉冲电流(8/20µs):16A
开关时间(Ton, Toff)(最大)9 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)4 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)3A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds340pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C4A (Tc)

机械参数

参数值
宽度3.5mm
高度1.8mm
长度6.5mm
重量0.002
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
引脚数:4
封装形式4SOT-223
冷却的封装SOT-223
材料表面处理:-
总长度6.5
包装数量SOT-223
尺寸/外形6.5 x 3.5 x 1.8mm
位数4
外壳尺寸-插件1.8(Max)
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
SPG1
类型Power MOSFET
极性N-CHANNEL
匹配码STN3NF06L
SMD标记:N3NF06
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Dual Drain, Single
单元数量1
标准交期13 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C