STN2NF10

STN2NF10

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R MOSFET 100V 0.2 MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 STN2NF10, N-channel MOSFET Transistor 2.4A 100V, 4-Pin SOT-223 MOSFET, N, SOT-223 STN2NF10 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 2.4 A, Vds=100 V, 3+Tab针 SOT-223封装 MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量4000
单位包装4000
其他名称497-8023-1
标准包装数量Cut Tape
标准封装名称SOT-223

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率3.3W
下降时间(典型)3 ns
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟20 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压100 V
阈值电压:4V
最大额定电流:2A
导通电阻 RDS(On):260mohm
触点电压(最大):100V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs260@10V mOhm
最大功耗3.3 W
传播延迟(最大)10 ns
导通电阻(最大)0.26 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs14nC @ 10V
峰值脉冲电流(8/20µs):8A
开关时间(Ton, Toff)(最大)6 ns
漏源电压(Vdss)100V
峰值脉冲电流(10/1000µs)2.4 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds280pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C2.4A (Tc)

机械参数

参数值
宽度3.5mm
高度1.8mm
长度6.5mm
重量0.002
包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
引脚数:4
封装形式4SOT-223
冷却的封装SOT-223
材料表面处理:-
总长度6.5
包装数量SOT-223
尺寸/外形6.5 x 3.5 x 1.8mm
位数4
外壳尺寸-插件1.8(Max)
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
SMD标记:STN2NF10
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Dual Drain, Single
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C