STN2NE10L

STN2NE10L

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量4,000
标准封装名称SOT-223

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSSupplier Unconfirmed

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20
FET特性Logic Level Gate
最大功率2.5W
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
击穿电压100
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs400 mOhm @ 1A, 10V
最大功耗2500
导通电阻(最大)400@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs14nC @ 5V
漏源电压(Vdss)100V
峰值脉冲电流(10/1000µs)1.8
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds345pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C1.8A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式TO-261-4, TO-261AA
包装数量SOT-223
位数4
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
通道类型Enhancement

环境参数

参数值
工作温度150