---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-10-24T12:50:50.648Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STN1NF20/zP2wGENr
---

# 元件详情：STN1NF20

- **型号**: STN1NF20
- **oneic 编号**: 390-STN1NF20
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 MOSFET N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-12273-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 4,000 |
| 工厂包装数量 | 4000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 12.4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 4V @ 250µA |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 5.7 nC |
| 最大功率 | 2W |
| 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 5.6 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 平均正向功率 | 2 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 导通电阻（最大） | 1.5 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 90pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/STN1NF20`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STN1NF20/zP2wGENr?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)