STL7N60M2

STL7N60M2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET-CH 600V 5A POWERFLAT MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间15.9 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷8.8 nC
上升时间(典型)7.2 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟19.3 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2 V
平均正向功率67 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)1.05 Ohms
连续漏极电流(Id)@ 25°C5 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式PowerFLAT-5x5-12

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置1 N-Channel

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C