规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 497-13167-2 |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 汽车级 | AEC-Q(101) |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 52W |
| 额定功率 | 52 W |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 二极管配置 | NO |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3A, 10V |
| 平均正向功率 | 52 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | YES |
| 每端口功率（瓦） | 52 W |
| 导通电阻（最大） | 43 mOhms |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | 6.5 A |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 432pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8-PowerVDFN |
| 冷却的封装 | Power Flat |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (5x6) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | STripFET™ III |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Dual |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55C to 175C |
| 热阻 @ GPM | 2.9 K/W |