STL42P6LLF6

STL42P6LLF6

STMicroelectronics N.V.

MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT STMicroelectronics , P沟道 MOSFET, 42 A, Vds=60 V, 8针 PowerFLAT封装 MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间21 ns
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
栅极电荷30 nC
开通延迟时间51.4 ns
输出功能增强
上升时间(典型)39 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间171 ns
首抽头延迟171 ns
供电电压1.1V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻34 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V
平均正向功率100 W
最大功耗100 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 60 V
导通电阻(最大)23 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±20 V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3780 pF @ -25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C42 A

机械参数

参数值
宽度5.4mm
高度0.95mm
长度6.35mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数8
封装形式PowerFLAT-5x6-8
包装数量PowerFLAT
尺寸/外形6.35 x 5.4 x 0.95mm

产品信息

参数值
系列P-channel STripFET
功能Y
技术Si
通道类型P
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置1 P-Channel

环境参数

参数值
工作温度+175 °C