STL24N60M2

STL24N60M2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-14214-1
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷29 nC
最大功率125W
上升时间(典型)9 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟60 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs210 Ohm @ 9A, 10V
平均正向功率125 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)186 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs29nC @ 10V
漏源电压(Vdss)600V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1060pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C18A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式4-PowerFlat™ HV
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

产品信息

参数值
系列*
技术Si
制造商全称STMicroelectronics
配置Single