STL19N60DM2

STL19N60DM2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷21 nC
晶体管类型N-Channel
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id4 V
平均正向功率90 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
导通电阻(最大)320 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C11 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式PowerFLAT-8x8-HV-5

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置1 N-Channel

环境参数

参数值
工作温度- 55 C