STL15DN4F5
STMicroelectronics N.V.
MOSFET Dual N-CH 40V 15A STripFET V Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/R MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT STL15DN4F5, Dual N-channel MOSFET Transistor, 60A 40V, 8-Pin PowerFLAT MOSFET,DUAL N CH, 40V, 15A, POWERFLAT STMicroelectronics STripFET 系列 双 N沟道 MOSFET 晶体管 , 60 A, Vds=40 V, 8针 PowerFLAT封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-10782-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 60W |
| 额定功率 | 60 W |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 32 ns |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V |
| 阈值电压 | :2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.008ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 7.5A, 10V |
| 最大功耗 | 60 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 漏电流（最大） | 60 A |
| 导通电阻（最大） | 9 mΩ |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 18 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 60 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 60 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1550pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.75mm |
| 高度 | 0.85mm |
| 长度 | 4.75mm |
| 重量 | 0.03 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :5 |
| 封装形式 | 8-PowerVDFN |
| 冷却的封装 | PowerFLAT |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | Power Flat |
| 尺寸/外形 | 4.75 x 5.75 x 0.85mm |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (5x6) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Drain |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +175 °C |