规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-8483-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 47.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 4W |
| 额定功率 | 80 W |
| 上升时间（典型） | 30.8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 65.8 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 |
| 阈值电压 | :1.55V |
| 最大额定电流 | :35A |
| 导通电阻 RDS(On) | :1.4mohm |
| 触点电压（最大） | :30V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.75 mOhm @ 17.5A, 10V |
| 最大功耗 | :80W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 1.75@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 195 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 22 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 150 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5800pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 195A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-PowerVDFN |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | Power Flat |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (6x5) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |