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# 元件详情：STL13DP10F6

- **型号**: STL13DP10F6
- **oneic 编号**: 390-STL13DP10F6
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: N-Channel 100 V 3.3 A 180 mOhm STripFET VI DeepGATE Mosfet - POWER FLAT MOSFET POWER MOSFET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 3000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 20 V |
| 栅极电荷 | 16.5 nC |
| 上升时间（典型） | 4.8 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 24 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4 V |
| 平均正向功率 | 4 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 100 V |
| 导通电阻（最大） | 180 mOhms |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | - 3.3 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
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| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | PowerFLAT-5x6-8 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | P-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Dual |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
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| 工作温度 | + 150 C |

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