STL135N8F7AG

STL135N8F7AG

STMicroelectronics N.V.

STL135N8F7AG 系列 80 V 3.6 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET -PowerFLAT™ 5x6 MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSNo

电气参数

参数值
下降时间30 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷103 nC
上升时间(典型)28 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟73 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2.5 V
平均正向功率135 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic80 V
导通电阻(最大)3.15 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C130 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式PowerFLAT-5x6-8

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 175 C