STL100N8F7

STL100N8F7

STMicroelectronics N.V.

STL100N8F7 系列 80V 100A 6.1 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet-PowerFlat-5x6 MOSFET N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间32 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷46.8 nC
上升时间(典型)95 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟60 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2.5 V
平均正向功率120 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic80 V
导通电阻(最大)6.1 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C100 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式PowerFLAT-5x6-8

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置1 N-Channel

环境参数

参数值
工作温度+ 175 C