规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-12263 |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 50 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 27 nC |
| 最大功率 | 80W |
| 上升时间（典型） | 400 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 25 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 27.5A, 10V |
| 平均正向功率 | 80 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 10 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 28 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1265pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 55A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 4.6 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | 1 N-Channel |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 175 C |