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# 元件详情：STI26NM60N

- **型号**: STI26NM60N
- **oneic 编号**: 390-STI26NM60N
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK STI26NM60N, N-channel MOSFET Transistor, 20A 600V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 , 20 A, Vds=600 V, 3针 I2PAK封装
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-12261 |
| 标准包装数量 | 50 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 140W |
| 开通延迟时间 | 13 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 85 ns |
| 首抽头延迟 | 85 ns |
| 供电电压 | 600 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 165 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| 最大功耗 | 140 W |
| 导通电阻（最大） | 0.165 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 13 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 20 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1800pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 10.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 冷却的封装 | I2PAK |
| 包装数量 | I2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 10.75mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | I2PAK |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | MDmesh |
| 功能 | Y |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |

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