STI26NM60N

STI26NM60N

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK STI26NM60N, N-channel MOSFET Transistor, 20A 600V, 3-Pin I2PAK STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 , 20 A, Vds=600 V, 3针 I2PAK封装

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-12261
标准包装数量50

合规参数

参数值
RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±25 V
FET特性Standard
最大功率140W
开通延迟时间13 ns
输出功能增强
晶体管类型Si
关断延迟时间85 ns
首抽头延迟85 ns
供电电压600 V
元件数量1
输入电阻165 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压600 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs165 mOhm @ 10A, 10V
最大功耗140 W
导通电阻(最大)0.165 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs60nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)13 ns
漏源电压(Vdss)600V
峰值脉冲电流(10/1000µs)20 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1800pF @ 50V
连续漏极电流(Id)@ 25°C20A

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度10.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
引脚数3
封装形式TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
冷却的封装I2PAK
包装数量I2PAK
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 10.75mm
位数3
供应商器件封装I2PAK

产品信息

参数值
系列MDmesh
功能Y
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET