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# 元件详情：STH170N8F7-2

- **型号**: STH170N8F7-2
- **oneic 编号**: 390-STH170N8F7-2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 80V 120A STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 120 A, Vds=80 V, 2针 H2PAK封装 MOSFET POWER MOSFET
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品 | Power MOSFET |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 下降时间 | 37 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 120 nC |
| 开通延迟时间 | 38 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 53 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 79 ns |
| 首抽头延迟 | 79 ns |
| 供电电压 | 1.2V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 3.7 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5 V to 4.5 V |
| 平均正向功率 | 250 W |
| 最大功耗 | 250 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 导通电阻（最大） | 3.7 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 38 ns |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8710 pF @ 40 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 10.57mm |
| 高度 | 4.8mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 2 |
| 封装形式 | H2PAK-2 |
| 包装数量 | H2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 10.57 x 4.8mm |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | STripFET F7 |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +175 °C |

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