STH170N8F7-2

STH170N8F7-2

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 80V 120A STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 120 A, Vds=80 V, 2针 H2PAK封装 MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
产品Power MOSFET
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间37 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷120 nC
开通延迟时间38 ns
输出功能增强
上升时间(典型)53 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间79 ns
首抽头延迟79 ns
供电电压1.2V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻3.7 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id2.5 V to 4.5 V
平均正向功率250 W
最大功耗250 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic80 V
导通电阻(最大)3.7 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±20 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)38 ns
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds8710 pF @ 40 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C120 A

机械参数

参数值
宽度10.57mm
高度4.8mm
长度10.4mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数2
封装形式H2PAK-2
包装数量H2PAK
尺寸/外形10.4 x 10.57 x 4.8mm

产品信息

参数值
类型STripFET F7
系列N-channel STripFET
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET

环境参数

参数值
工作温度+175 °C