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data_as_of: 2026-10-27T00:05:42.608Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STGWT80H65DFB/06ONAloz
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# 元件详情：STGWT80H65DFB

- **型号**: STGWT80H65DFB
- **oneic 编号**: 390-STGWT80H65DFB
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-3P STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装 IGBT Transistors Trench gate H series 650V 80A HiSpd
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | 497-14234-5 |
| 标准包装数量 | 30 |
| 工厂包装数量 | 300 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 频率 | 1MHz |
| IGBT类型 | Trench and Field Stop |
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 20 V |
| 输入类型 | Standard |
| 栅极电荷 | 414nC |
| 最大功率 | 469W |
| 晶体管类型 | 单 |
| 开关能量 | 1.37mJ (on), 970µJ (off) |
| 供电电压 | 650V |
| Td（开/关）@ 25°C | 54ns/182ns |
| Vce饱和电压（最大） | 1.6 V |
| 平均正向功率 | 469 W |
| 最大功耗 | 469 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| 反向恢复时间（trr） | 62ns |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 250 nA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 120A |
| 集电极截止电流（最大） | 120 A |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 240A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 5mm |
| 高度 | 20.1mm |
| 长度 | 15.8mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 包装数量 | TO-3P |
| 尺寸/外形 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| 供应商器件封装 | TO-3P |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | 600-650V IGBTs |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
| 每IC通道数 | 单 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 测试条件 | 400V, 80A, 5 Ohm, 15V |
| 工作温度 | +175 °C |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/STGWT80H65DFB`

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