STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB

STMicroelectronics N.V.

IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3针 TO-3P封装 IGBT Transistors 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-14229-5
标准包装数量30
工厂包装数量300

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
输入类型Standard
栅极电荷210nC
最大功率283W
晶体管类型单
开关能量498µJ (on), 363µJ (off)
供电电压650V
Td(开/关)@ 25°C40ns/142ns
Vce饱和电压(最大)1.6 V
平均正向功率283 W
最大功耗283 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
反向恢复时间(trr)62ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
集电极电流(Ic)(最大)80A
集电极截止电流(最大)80 A
集电极脉冲电流 (Icm)160A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80 A

机械参数

参数值
宽度5mm
高度20.1mm
长度15.8mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-3P-3, SC-65-3
包装数量TO-3P
尺寸/外形15.8 x 5 x 20.1mm
供应商器件封装TO-3P

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
功能Y
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 40A, 5 Ohm, 15V
工作温度+175 °C