STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

STMicroelectronics N.V.

IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar IGBT 650V 60A 1,85V TO247 long

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率38 nS
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
供电电压650 V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C210 nS
Vce饱和电压(最大)2 V
平均正向功率375 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
每端口功率(瓦)375 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs250 nA
开关时间(Ton, Toff)(最大)66 nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.85 V
集电极电流(Ic)(最大)80 A
集电极截止电流(最大)80 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C80 A

机械参数

参数值
高度5.15 mm
长度20.15 mm
包装方式TUBE
安装类型THT
安装样式Through Hole
封装形式TO-247-3

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
技术Si
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 55 C to + 175 C