STGWA30M65DF2

STGWA30M65DF2

STMicroelectronics N.V.

IGBT 650V 30A TO247-3 STMicroelectronics , N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3针 TO-247封装 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss IGBT 650V 30A 1,55V TO247-3

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
频率13.4 nS
晶体管类型单
供电电压650 V
二极管配置YES
Td(开/关)@ 25°C115 nS
最大功耗258 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
每端口功率(瓦)285 W
开关时间(Ton, Toff)(最大)31.6 nS
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.55 V
集电极电流(Ic)(最大)30 A
集电极截止电流(最大)60 A
栅极触发电压 Vgt (最大)±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2490pF

机械参数

参数值
宽度5.1mm
高度21.1mm
长度15.9mm
包装方式Tube
安装类型通孔
引脚数3
封装形式TO247-3
包装数量TO-247
尺寸/外形15.9 x 5.1 x 21.1mm

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
功能Y
技术Fast
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
其他规格2.03mJ

环境参数

参数值
工作温度+175 °C