STGW60H65DF

STGW60H65DF

STMicroelectronics N.V.

IGBT 650V 120A TO-247 IGBT 650V 120A 360W TO247 IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT Trans IGBT Chip N-CH 350V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13105-5
产品类别IGBT Transistors
标准包装数量30
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
IGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs20 V
输入类型Standard
栅极电荷206nC
最大功率360W
额定功率360 W
开关能量2.6mJ
供电电压650V
Td(开/关)@ 25°C67ns/165ns
Vce饱和电压(最大)2.1 V
平均正向功率360 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.9V @ 15V, 60A
反向恢复时间(trr)62ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs206nC
集电极电流(Ic)(最大)120A
集电极截止电流(最大)120 A
集电极脉冲电流 (Icm)240A
连续漏极电流(Id)@ 25°C120 A

机械参数

参数值
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式TO-247-3
冷却的封装TO-247
位数3 +Tab
供应商器件封装TO-247

产品信息

参数值
系列600-650V IGBTs
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
配置Single

环境参数

参数值
测试条件400V, 60A, 10 Ohm, 15V
工作温度Military
结工作温度150C